此时中频输出将随射频输入线性变化
2018-06-24 22:00
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混频器变频损耗

混频器的噪声定义为:nf=pno/psopno是当输入端口噪声温度在所有频率上都是标准温度即t0=290k时,传输到输出端口的总噪声资用功率。pno主要包括信号源热噪声,内部损耗电阻热噪声,混频器件电流散弹噪声及本振相位噪声。pso为仅有有用信号输入在输出端产生的噪声资用功率。

混频器是多频工作器件,除指明射频信号工作频率外,还应注意本振和中频频率应用范围。

混频器动态范围

混频器噪声系数

混频器的变频损耗定义为混频器射频输入端口的微波信号功率与中频输出端信号功率之比。主要由电路失配损耗,二极管的固有结损耗及非线性电导净变频损耗等引起。

在正常工作情况下,射频输入电平远低于本振电平,此时中频输出将随射频输入线性变化,当射频电平增加到一定程度时,中频输出随射频输入增加的速度减慢,混频器出现饱和。当中频输出偏离线性1db时的射频输入功率为混频器的1db压缩点。对于结构相同的混频器,1db压缩点取决于本振功率大小和二极管特性,一般比本振功率低6db。

1db压缩点

动态范围是指混频器正常工作时的微波输入功率范围。其下限因混频器的应用环境不同而异,其上限受射频输入功率饱和所限,通常对应混频器的1db压缩点。

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